单层密封路径积分
将不同位置的二维截面泄漏率沿实际密封路径积分，得到单层泄漏率。
问题从大规模重复堆叠开始
PEMFC电堆由大量超薄双极板、密封件和MEA/框架重复堆叠形成。零件制造偏差与堆叠定位偏差不可避免，并会改变双极板、密封件的相对位姿和局部接触状态，进而降低电堆密封与电化学性能的可靠性。
公差分析：从制造/装配偏差到二维密封截面对中度
以密封性能为功能要求，公差分析将多源制造、几何与形位公差以及堆叠偏差，逐级映射为双极板位姿偏差、密封件位姿偏差，并最终得到沿密封路径变化的二维密封截面对中度。
输入制造公差 · 几何/形位公差 · 堆叠偏差
→
传递双极板位姿 · 密封件位姿
→
输出二维密封截面对中度
考虑的制造与装配公差
以密封性能为功能要求，将定位杆、双极板与密封件的制造/装配偏差纳入同一公差传递模型。
- 定位杆 直线度 ⏤圆度 ○尺寸 ±垂直度 ⊥
- 双极板 长度尺寸公差 ±宽度尺寸公差 ±
- 密封件 相对双极板的位置公差 ⌖
把装配偏差转化为可计算的密封性能
公差分析已经把宏观制造/装配偏差传递到二维截面对中度；从微观尺度出发，进一步建立表面微观形貌、法向/切向接触、泄漏通道与不同对中度下二维密封截面泄漏率之间的关系。宏观公差分析与微观密封分析由此在二维截面层面衔接。
微观形貌→法向 / 切向接触→泄漏通道→二维截面泄漏率
泄漏预测：从二维截面到层内，再到整堆
得到“位置相关的对中度”和“对中度对应的截面泄漏率”后，可以沿实际密封路径累积局部泄漏贡献，形成单层与层内泄漏预测；进一步结合层间装配与垂向力学状态，获得整堆层间泄漏分布、总体泄漏率及其可靠性变化规律。
二维截面局部对中度 → 单位长度泄漏率
→
层内沿密封路径积分累积局部泄漏
→
整堆层间状态演化 → 泄漏分布与可靠性
整堆垂向刚度模型
描述双极板形貌、密封件/MEA支路与层间接触共同形成的垂向力学状态。
整堆层间泄漏率分布
结合层间装配状态与垂向力学响应，预测不同堆叠层数下的层间泄漏分布与总体泄漏变化。
公差优化与堆叠工艺优化
预测模型最终用于制造与装配决策：一方面优化公差分配，协调制造成本与密封可靠性；另一方面通过堆叠顺序、选择性装配以及制造/定位工艺优化，降低整堆性能离散性。
堆叠顺序 / 选择性装配优化
比较不同启发式与元启发式算法在限定计算时间内获得可行堆叠方案的能力。
